184 硅管正向导通时的压降约为0.3V。 错
185 锗管正向导通时的压降约为0.3V。 对
186 在本征半导体中,加入三价元素,形成了P型半导体。 对
187 在本征半导体中,加入三价元素,形成了N型半导体。 错
188 杂质半导体可以分为N型和P型两种。 对
189 本质半导体的导电能力取决于温度。 对
190 杂质半导体的导电能力取决于杂质的掺杂浓度。 对
191 杂质半导体的两种载流子数量相等。 错
192 P型半导体的多子是电子。 错
193 N型半导体的多子是电子。 对
194 温度越高，本征激发越激烈。 对
195 温度越高，本征半导体的导电能力越弱。 错
196 PN结具有单向导电性。 对
197 PN结的本质是一个稳定的电场。 对
198 正偏电压促进多子的扩散运动。 对
199 反偏电压抑制少子的漂移运动。 错
200 PN结的电流是从N型半导体流向P型半导体。 错
201 一般硅材料二极管的正向电阻为几千欧。 对
202 正向电阻越小，反向电阻越大的二极管的质量越差。 错
203 二极管的本质就是一个PN结。 对
204 二极管的P区电位大于N区电位时,二极管导通。 对
205 二极管的P区电位小于N区电位时,二极管截止。 对
206 二极管的主要特性为放大。 错
207 稳压二极管通常工作于死区。 错
208 在二极管的正向区,二极管相当于断开。 错
209 二极管承受正向电压开通。 对
210 二极管具有单相导电性。 对
211 二极管的内部有两个PN结。 错
212 实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。 对
213 电力场效应晶体管属于电流型控制元件。 错
214 三极管放大区的特征是当基极电流变化时,集电极电流与基极电流呈正比变化,三极管具有放大作用。 对
215 三极管截止区的特征是基极电流和集电极电流都约等于0。 对
216 实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。 对
217 通常把三极管的饱和状态和截止状态称为三极管的开关特性。 对
218 对于晶体三极管输出特性曲线中IB=0的曲线以下的部分是放大区。 错
219 电力晶体管的外部电极是：集电极、基极和发射极。 对
220 三极管的发射结正偏、集电极反偏，三极管处于放大状态。 对
221 三极管的发射结、集电结反偏，三极管处于饱和状态。 错
222 三极管的发射结、集电结正偏，三极管处于截止状态。 错
223 对于晶体三极管输出特性曲线中，在饱和区IB对IC的影响较小。 对
224 三极管的内部有三个PN结。 错
225 万用表测量二极管，正、反两个电阻阻值相差越小，二极管性能越好。 错
226 万用表测量二极管，正、反两个电阻阻值都很小，二极管处于短路状态。 对
227 万用表测量二极管，正、反两个电阻阻值都很大，二极管处于开路状态。 错
228 用万用表测量二极管时，阻值较大的是二极管的正向电阻。 错
229 用万用表测量二极管时，阻值较小的是二极管的正向电阻。 对
230 测得正向阻值时，与黑表笔相连的是二极管的正极。 对
231 测得反向阻值时，与黑表笔相连的是二极管的正极。 错
232 晶闸管有两个极，分别是阳极和阴极。 错
233 晶闸管导通后，其电流只能从阳极流向阴极。 对
234 晶闸管导通后，门极依然具有控制作用。 错
235 晶闸管的导通条件是阳极电压大于零或门极电压大于零。 错
236 晶闸管的内部有三个PN结。 对
237 可关断晶闸管GTO属于半控型器件。 错
238 SCR是不可控型器件。 错
239 对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL小于IH。 错
240 给晶闸管门极和阴极之间加正向电压它就会导通。 错
241 IGBT导通的条件是:集、射极间加反向电压，且栅、射极间加大于开启电压的正电压。 错
242 绝缘栅双极型晶体管的G极是栅极。 对
243 电力电子器件通常工作在开关状态。 对
244 IGBT是全控型器件。 对
245 IGBT的内部有两个PN结。 错
246 在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。 对
247 AC-DC变换是将交流电变换为直流电，一般称为整流。 对
248 全桥整流电路中,两对导电臂交替导通360度。 错
249 整流电路中并联器件电感是为了避免失控现象。 对
250 单相不可控整流电路可以调节输出电流的大小。 错
251 变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。 对
252 二段桥电路由两个二极管，四个晶闸管组成。 错
253 三段桥电路由四个二极管，六个晶闸管组成。 对
254 斩波电路是实现直流-交流转换的电路。 错
255 与传统的线性调节方式相比，斩波技术的效率比较高，可以达到90%-95%。 对
256 降压式斩波电路的特点是,输出电压和输出电流都比输入低。 错
257 斩波电路中，通过改变元件占空比来调节输出电压,既能完成降压也能完成升压,并且输出电压稳定。 对
258 斩波电路通常要在电路中加上电容以减小电流的变化率。 错
259 脉冲宽度调频不但改变斩波器的工作频率，而且改变斩波器的导通时间。 错
260 半桥逆变电路的输出交流电压的幅值等于直流电源的幅值。 错
261 半桥电路常用于几千瓦以下的小功率逆变器。 对
262 与半桥逆变电路相比，全桥逆变电路的电压、电流的幅值均增加了一倍。 对
263 有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。 错
264 逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太小造成的。 对
265 有源逆变电路是把直流电能变换成50Hz交流电能送回交流电网。 对
266 电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量，必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。 错
267 无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能，送给电网。 错
268 无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。 错
269 当交流侧接有电源时,称为无源逆变。 错
270 当交流侧直接和负载相连时,称为有源逆变。 错
271 逆变电路是变频电路的逆向过程。 错
272 逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太大造成的。 错
273 在电流型逆变器中,输出电压波形为方波,输出电流波形也为方波。 错
274 当决定某事件的全部条件同时具备时,事件才会发生,这种因果关系叫做或逻辑。 错
275 在决定某事件的条件中,只要任一条件具备,事件就会发生,这种因果关系叫做或逻辑。 错
276 逻辑关系中的0和1表示的是数值的大小。 错
